| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
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SI4922BDY-T1-E3 |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | Vishay Siliconix | 35168 | 询价QQ： |
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SI4922BDY-T1-E3参数 产品类别：分离式半导体产品-FET - 阵列 说明：MOSFET N-CH DUAL 30V 8A 8-SOIC 包装数量：2500 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载： FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：30V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：8A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：16 毫欧 @ 5A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.8V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs：62nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds：2070pF @ 15V 功率 - 最大：2W 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： 接线板 - 接口模8155650000 矩形 - 配件967631-1 PMIC - 监控BU4918G-TR D-Sub，D 形8655MH3701BLF 端子 - 环形50845-2 功率，高于 2 安JS1AF-5V-F 端子 - 电磁线1217339-1 PMIC - 监控BU4915G-TR PMIC - LETCA6507PWR 矩形- 接头，插座68046-202LF |
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